加工定制 | 否 | 制作工藝 | 薄膜 |
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輸出信號 | 模擬型 | 材料 | 陶瓷 |
材料物理性質 | 半導體 | 材料晶體結構 | 其他 |
防護等級 | 67 | 線性度 | -%F.S |
遲滯 | -%F.S | 重復性 | -%F.S |
靈敏度 | - | 分辨率 | - |
BALLUFF傳感器數據資料BES-516-324-SA26-03
連接方式 電纜
無功電流Io,衰減, 20.0 mA
無功電流Io,無衰減 12.0 mA
余波, (Ue的百分比) 10 %
工作電流Im 0 mA
基本標準 IEC 60947-5-2
防護等級符合IEC 60529 IP67
功能顯示 否
開關距離標識
反極性保護 是
工作電壓顯示 否
短路保護 否
BALLUFF傳感器數據資料BES-516-324-SA26-03
測量開關距離Sn [mm] 2.00 mm
深度 55.5 mm
環境溫度Ta, 120 °C
環境溫度Ta-25 °C
電纜護套材料 PTFE
電纜直徑D, 3.4 mm
直徑d1 M08x1
真實開關距離Sr 2.20 mm
可齊平安裝:參見開關距離較大的感應式傳感器825357的安裝說明。
建議:在短路后,檢查設備的安全功能。
Ta ≥ 70 °C… ≤ 120 °C:Ie ≤ 150 mA。
EMV:沖擊電壓耐受性;需要外部保護電路。文檔825345,2段
下輸出量變化△y對輸入量變化△x的比值。
它是輸出一輸入特性曲線的斜率。如果傳感器的輸出和輸入之間顯線性關系,則靈敏度S是一個常數。否則,它將隨輸入量的變化而變化。
靈敏度的量綱是輸出、輸入量的量綱之比。例如,某位移傳感器,在位移變化1mm時,輸出電壓變化為200mV,則其靈敏度應表示為200mV/mm。